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Le DDTC115GE-7

Le DDTC115GE-7

fabricant:
Diodes incorporées
Définition:
Le projet de directive a été adopté par le Parlement européen et le Conseil.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-523
Rapide RFP
En stock:
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Détails du produit
M. la partie #:
Le DDTC115GE-7
Le stock:
6000
Catégorie de produits:
Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique, pré-biasé
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
82 @ 5mA, 5V
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Emballage / boîtier:
SOT-523
Puissance maximale:
150 mW
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
100 kOhms
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Description du produit