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DTC123YMT2L

fabricant:

ROHM Halbleiter

Beschreibung:

NPN, SOT-723, R1R2 LEAK ABSORPTI

Lieferanten-Gerätepaket:

VMT3

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

DTC123YMT2L

Lagerbestand:

8000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

500nA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

33 bei 10 mA, 5 V

Häufigkeit - Übergang:

250 MHz

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

SOT-723

Leistung - Max.:

150 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

2,2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2):

10 kOhms

Transistortyp:

NPN - Vor-voreingenommen

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 500µA, 10mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

Beschreibung des Produkts

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