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DTC113EET1G

Qualität [#varpname#] usine

Qualität [#varpname#] usine

DTC113EET1G

fabricant:

Ein- und zweimal

Beschreibung:

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

Lieferanten-Gerätepaket:

SC-75, SOT-416

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

DTC113EET1G

Lagerbestand:

10249

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

500nA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

3 @ 5mA, 10V

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

SC-75, SOT-416

Leistung - Max.:

200 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

kOhms 1

Widerstand - Emitterbasis (R2):

kOhms 1

Transistortyp:

NPN - Vor-voreingenommen

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

250 mV @ 5mA, 10mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

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