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DTC115ECAHZGT116

fabricant:

ROHM Halbleiter

Beschreibung:

NPN 100MA 50V digitaler Transistor

Lieferanten-Gerätepaket:

SST3

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

DTC115ECAHZGT116

Lagerbestand:

4994

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

82 @ 5mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

250 MHz

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Leistung - Max.:

350 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2):

100 kOhms

Transistortyp:

NPN - Vor-voreingenommen

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 250μA, 5mA

Beschreibung des Produkts

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