Created with Pixso. Zu Hause > produits > Getrennte Halbleiter-Produkte >

PDTC143XQAZ

PDTC143XQAZ

fabricant:
Nexperia
Beschreibung:
Trans Prebias NPN 3DFN
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Schnelle RFQ
Vorräte:
Bitte schicken Sie eine Anfrage, wir antworten sofort. (*ist obligatorisch)
*
*
*
*
Einzelheiten zum Produkt
Mfr. Teil #:
PDTC143XQAZ
Lagerbestand:
10000
Produktkategorie:
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1µA
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Häufigkeit - Übergang:
230 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Leistung - Max.:
280 mW
Produktstatus:
Aktiv
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
100mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Beschreibung des Produkts