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PDTC143XQAZ

Qualität PDTC143XQAZ usine

Qualität PDTC143XQAZ usine

PDTC143XQAZ

fabricant:

Nexperia

Beschreibung:

Trans Prebias NPN 3DFN

Lieferanten-Gerätepaket:

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

PDTC143XQAZ

Lagerbestand:

10000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

1µA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

50 @ 10mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

230 MHZ

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

3-XDFN-Aufdeckungsplattform

Leistung - Max.:

280 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

4,7 kOhm

Widerstand - Emitterbasis (R2):

10 kOhms

Transistortyp:

NPN - Vor-voreingenommen

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

100mV @ 500μA, 10mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

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