english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية
produits
fabricants
Über uns
News
Zulassung
Partner mit uns
german
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية
Created with Pixso. Zu Hause > produits > Getrennte Halbleiter-Produkte >

Der Wert der Vermögenswerte ist der Wert der Vermögenswerte, für die die Vermögenswerte verwendet werden.
Qualität Der Wert der Vermögenswerte ist der Wert der Vermögenswerte, für die die Vermögenswerte verwendet werden. usine
Qualität Der Wert der Vermögenswerte ist der Wert der Vermögenswerte, für die die Vermögenswerte verwendet werden. usine

Der Wert der Vermögenswerte ist der Wert der Vermögenswerte, für die die Vermögenswerte verwendet werden.

fabricant:
Instrumente aus Texas
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Lieferanten-Gerätepaket:
6-DSBGA (1x1,5)
Schnelle RFQ
Vorräte:
Bitte schicken Sie eine Anfrage, wir antworten sofort. (*ist obligatorisch)
*
*
*
*
Einzelheiten zum Produkt
Mfr. Teil #:
Der Wert der Vermögenswerte ist der Wert der Vermögenswerte, für die die Vermögenswerte verwendet we
Lagerbestand:
9025
Produktkategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1.6A
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
FET-Typ:
2 P-Kanal (Doppelkanal) gemeinsame Quelle
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
2.5nC @ 4.5V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
410pF @ 10V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse:
6-UFBGA, DSBGA
Leistung - Max.:
750 mW
Produktstatus:
Aktiv
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
68 mOhm @ 1A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 250µA
Beschreibung des Produkts
Der Wert der Vermögenswerte ist der Wert der Vermögenswerte, für die die Vermögenswerte verwendet werden. VERWANDTE PRODUKTE
Qualität Im Zuge der Anwendung der Richtlinie 2009/72/EG usine

Im Zuge der Anwendung der Richtlinie 2009/72/EG

ImZC120R078M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 78 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung (UPS).- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r053m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 53 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R040M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 40 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt usine

Immer noch nicht vollständig erstellt

Imzc120R034M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 34 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R026M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 26 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Im Rahmen der Richtlinie 2008/57/EG wird die Richtlinie 2008/57/EG geändert. usine

Im Rahmen der Richtlinie 2008/57/EG wird die Richtlinie 2008/57/EG geändert.

Imzc120r022m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 22 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Immer noch nicht. usine

Immer noch nicht.

Imzc120R017M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 17 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online-Ununterbrechungsnetzteile (UPS). - Optimierer für Solarenergie- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
Mehr erfahren
Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r012m2hDatenblatt Typische Anwendungen - Allzweckantriebe (GPD). - Ladevorrichtung für Elektrofahrzeuge. - On-line ununterbrochene Stromversorgung (UPS). - Solarenergie-Optimierer. - String-Wechselrichter. - Energiespeichersysteme (ESS). - Schweißgeräte. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
Mehr erfahren
Qualität Im Rahmen des Programms werden die in Anhang I aufgeführten Daten für die Einhaltung der Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG verwendet. usine

Im Rahmen des Programms werden die in Anhang I aufgeführten Daten für die Einhaltung der Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG verwendet.

Im Rahmen des Programms für die Erfassung von Informationen über die Sicherheit von Flugzeugen und FlugzeugenDatenblatt Typische Anwendungen - Sehr geringe Schaltverluste. - Überlastbetrieb bis TVj= 200 °C. - Kurzschlusszeit von 2 μs. - Robuste Diode für eine harte Umstellung. - XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
Mehr erfahren
Qualität Einheitliche Flugsicherungsanlage usine

Einheitliche Flugsicherungsanlage

AIMCQ120R160M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität Einheit für die Überwachung der Luftfahrt usine

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

AIMCQ120R120M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität AIMCQ120R080M1T usine

AIMCQ120R080M1T

AIMCQ120R080M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität AIMCQ120R060M1T usine

AIMCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität AIMCQ120R040M1T usine

AIMCQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität Einheitliche Anweisungen usine

Einheitliche Anweisungen

AIMCQ120R030M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität AIMCQ120R020M1T usine

AIMCQ120R020M1T

AIMCQ120R020M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität Einheitliche Anweisungen usine

Einheitliche Anweisungen

Einheit für die Überwachung der LuftverkehrssicherheitDatenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
Mehr erfahren
Qualität CMPDM7002AG TR PBFREI usine

CMPDM7002AG TR PBFREI

CMPDM7002AG TR PBFREIDatenblatt
Mehr erfahren
Qualität DMP2123LQ-7 usine

DMP2123LQ-7

Mehr erfahren
Qualität DMP2035UVT-7 usine

DMP2035UVT-7

Mehr erfahren
Qualität DMN61D8L-7 usine

DMN61D8L-7

Mehr erfahren