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MRFE6S9060NR1
Qualität MRFE6S9060NR1 usine
Qualität MRFE6S9060NR1 usine

MRFE6S9060NR1

fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-270-2
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Einzelheiten zum Produkt
Mfr. Teil #:
MRFE6S9060NR1
Lagerbestand:
1968
Produktkategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Gegenwärtig - Test:
450 MA
Häufigkeit:
880 MHz
Gewinn:
21.1 dB
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Leistung - Leistung:
14W
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
ldmos
Nennspannung:
66 V
Spannung - Test:
28 V
Beschreibung des Produkts
MRFE6S9060NR1 VERWANDTE PRODUKTE
Qualität Im Zuge der Anwendung der Richtlinie 2009/72/EG usine

Im Zuge der Anwendung der Richtlinie 2009/72/EG

ImZC120R078M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 78 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung (UPS).- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r053m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 53 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R040M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 40 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt usine

Immer noch nicht vollständig erstellt

Imzc120R034M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 34 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R026M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 26 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Im Rahmen der Richtlinie 2008/57/EG wird die Richtlinie 2008/57/EG geändert. usine

Im Rahmen der Richtlinie 2008/57/EG wird die Richtlinie 2008/57/EG geändert.

Imzc120r022m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 22 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Immer noch nicht. usine

Immer noch nicht.

Imzc120R017M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 17 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online-Ununterbrechungsnetzteile (UPS). - Optimierer für Solarenergie- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität Immer noch nicht vollständig erstellt. usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r012m2hDatenblatt Typische Anwendungen - Allzweckantriebe (GPD). - Ladevorrichtung für Elektrofahrzeuge. - On-line ununterbrochene Stromversorgung (UPS). - Solarenergie-Optimierer. - String-Wechselrichter. - Energiespeichersysteme (ESS). - Schweißgeräte. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
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Qualität Im Rahmen des Programms werden die in Anhang I aufgeführten Daten für die Einhaltung der Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG verwendet. usine

Im Rahmen des Programms werden die in Anhang I aufgeführten Daten für die Einhaltung der Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG verwendet.

Im Rahmen des Programms für die Erfassung von Informationen über die Sicherheit von Flugzeugen und FlugzeugenDatenblatt Typische Anwendungen - Sehr geringe Schaltverluste. - Überlastbetrieb bis TVj= 200 °C. - Kurzschlusszeit von 2 μs. - Robuste Diode für eine harte Umstellung. - XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
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Qualität Einheitliche Flugsicherungsanlage usine

Einheitliche Flugsicherungsanlage

AIMCQ120R160M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität Einheit für die Überwachung der Luftfahrt usine

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

AIMCQ120R120M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität AIMCQ120R080M1T usine

AIMCQ120R080M1T

AIMCQ120R080M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität AIMCQ120R060M1T usine

AIMCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität AIMCQ120R040M1T usine

AIMCQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität Einheitliche Anweisungen usine

Einheitliche Anweisungen

AIMCQ120R030M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität AIMCQ120R020M1T usine

AIMCQ120R020M1T

AIMCQ120R020M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität Einheitliche Anweisungen usine

Einheitliche Anweisungen

Einheit für die Überwachung der LuftverkehrssicherheitDatenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität CMPDM7002AG TR PBFREI usine

CMPDM7002AG TR PBFREI

CMPDM7002AG TR PBFREIDatenblatt
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Qualität DMP2123LQ-7 usine

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Qualität DMP2035UVT-7 usine

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Qualität DMN61D8L-7 usine

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