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MQ2N5116
Qualität MQ2N5116 usine
Qualität MQ2N5116 usine

MQ2N5116

fabricant:
Mikrochiptechnik
Beschreibung:
JFET P-CH 30V 0,5W TO18
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Schnelle RFQ
Vorräte:
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Einzelheiten zum Produkt
Mfr. Teil #:
MQ2N5116
Lagerbestand:
35000
Produktkategorie:
Transistoren - JFETs
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
FET-Typ:
P-Kanal
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
500 mW
Produktstatus:
Aktiv
Widerstand - RDS (an):
175 Ohm
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 1 mA
Beschreibung des Produkts
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