english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية
προϊόντα
κατασκευαστών
Σχετικά με εμάς
News
Επικεφαλής
Συνεργαστείτε μαζί μας
greek
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية
Created with Pixso. Σπίτι > προϊόντα > Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών >

IMZC120R012M2H
ποιότητας IMZC120R012M2H εργοστάσιο
ποιότητας IMZC120R012M2H εργοστάσιο

IMZC120R012M2H

κατασκευαστής:
Ινφίνιον Τεχνολογίες
Περιγραφή:
Ευρύτερη μέγιστη περιοχή VGS από -10 V έως +25 V
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
PG-to247-4
Γρήγορη RFQ
Σε αποθέματα:
Παρακαλώ στείλτε RFQ, θα απαντήσουμε αμέσως. (*είναι υποχρεωτική)
*
*
*
*
Λεπτομέρειες για το προϊόν
Οφέλη:
Μεγαλύτερη πυκνότητα ισχύος
Ciss:
4050 pF
Coss:
176 pF
ΙΔ (@ TΓ=25°C) μέγιστο:
129 Α
Ptot (@ T)Α=25°C) μέγιστο:
480 W
Αρίθμηση καρφιτσών:
4 καρφίτσες
Πολικότητα:
N
Qg:
124 μ.Χ.
Qgd:
nC 34
Προσόντα:
Βιομηχανική
RDS (ενεργό) (@ Tj = 25°C):
12 mΩ
RthJA μέγιστο:
62 K/W
RthJC μέγ:
0.31 K/W
Τεχνολογία:
CoolSiCTM G2
VDS μέγ:
1200 V
Επίπεδο υγρασίας:
Επενδύσεις
Περιγραφή του προϊόντος

IMZC120R012M2H-Πίνακας δεδομένων

Τυπικές εφαρμογές

- Συσκευές γενικής χρήσης (GPD).


- Η φόρτιση ηλεκτρικού οχήματος (EV).


- Διαδικτυακές αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS).


- Οπτικοποιητές ηλιακής ενέργειας.


- Μετατροπείς χορδών.


- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).


- Εξοπλισμός συγκόλλησης.

 

Το IMZC120R012M2H είναι ένα 1200 V, 12 mΩ N-κανάλι MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC) από την Infineon Technologies, σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος.

 

IMZC120R012M2H ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
ποιότητας IMZC120R078M2H εργοστάσιο

IMZC120R078M2H

IMZC120R078M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 78 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένο κόστος,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD). - Ηλεκτρικά οχήματα.Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας IMZC120R053M2H εργοστάσιο

IMZC120R053M2H

IMZC120R053M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 53 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας IMZC120R040M2H εργοστάσιο

IMZC120R040M2H

IMZC120R040M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 40 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας IMZC120R034M2H εργοστάσιο

IMZC120R034M2H

IMZC120R034M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 34 mΩ G2 σε ένα TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας IMZC120R026M2H εργοστάσιο

IMZC120R026M2H

IMZC120R026M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 26 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας Το IMZC120R022M2H εργοστάσιο

Το IMZC120R022M2H

IMZC120R022M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 22 mΩ G2 σε TO-247 4pin με υψηλό πακέτο συρρίκνωσης βασίζεται στα δυνατά σημεία της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένα κόστη,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).Ηλιακοί βελτιστοποιητές.- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας IMZC120R017M2H εργοστάσιο

IMZC120R017M2H

IMZC120R017M2H-Πίνακας δεδομένων ΗΔιακριτικό CoolSiCTM MOSFET1200 V, 17 mΩ G2 σε ένα TO-247 4pin με υψηλό πακέτο creepage βασίζεται στα πλεονεκτήματα της τεχνολογίας γενιάς 1 με σημαντική βελτίωση που παρέχει μια προηγμένη λύση για πιο βελτιστοποιημένο κόστος,βελτιώθηκε η απόδοση τόσο στη λειτουργία σκληρής εναλλαγής όσο και στις τοπολογίες μαλακής εναλλαγής για όλους τους κοινούς συνδυασμούς AC-DC, DC-DC,και σταδίων DC-AC. Τυπικές εφαρμογές - Γενικές μονάδες κίνησης (GPD).- Διαδικτυακές αδιάλειπτες πηγές ρεύματος (UPS).- Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS).- Εξοπλισμός συγκόλλησης....
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας Το IMZC120R012M2HXKSA1 εργοστάσιο

Το IMZC120R012M2HXKSA1

Το IMZC120R012M2HXKSA1-Επισκόπηση Τυπικές εφαρμογές - Πολύ χαμηλές απώλειες. - Δραστηριότητα υπερφόρτωσης έως Tvj= 200 °C. - Σύντομο κύκλωμα 2 μs. - Σκληρή διόδη για σκληρή μετατόπιση. - Τεχνολογία διασύνδεσης XT για βελτιωμένη θερμική απόδοση. Το IMZC120R012M2H είναι ένα 1200 V, 12 mΩ N-κανάλι MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC) από την Infineon Technologies, σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας ΑΙΜCQ120R160M1T εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R160M1T

AIMCQ120R160M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας ΑΙΜCQ120R120M1T εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R120M1T

AIMCQ120R120M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας Αεροπορικά αεροσκάφη εργοστάσιο

Αεροπορικά αεροσκάφη

AIMCQ120R080M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας ΑΙΜCQ120R060M1T εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας ΑΙΜΚQ120R040M1T εργοστάσιο

ΑΙΜΚQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας Αεροπορικά οχήματα εργοστάσιο

Αεροπορικά οχήματα

AIMCQ120R030M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας Αεροπορικά οχήματα εργοστάσιο

Αεροπορικά οχήματα

ΑΙΜΚQ120R020M1T-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1 εργοστάσιο

ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1

ΑΙΜCQ120R020M1TXTMA1-Πίνακας δεδομένων Τυπικές εφαρμογές Επιβατικά φορτιστήρια (OBC): Αποδοτική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά οχήματα. Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος: Διαχείριση ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα αυτοκινήτων. Αντιστρέφτες έλξης: συστήματα πρόωσης ηλεκτρικών οχημάτων.
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας CMPDM7002AG TR PBFREE εργοστάσιο

CMPDM7002AG TR PBFREE

CMPDM7002AG TR PBFREEΕπισκόπηση
Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας DMP2123LQ-7 εργοστάσιο

DMP2123LQ-7

Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας DMP2035UVT-7 εργοστάσιο

DMP2035UVT-7

Μάθετε Περισσότερα
ποιότητας Dmn61d8l-7 εργοστάσιο

Dmn61d8l-7

Μάθετε Περισσότερα