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BSM300D12P2E001

fabbricante:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Confezione del dispositivo del fornitore:

Modulo

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

BSM300D12P2E001

Stoccaggio:

Categoria di prodotto:

Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

300A (TC)

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

1200 V (1,2 kV)

Caratteristica del FET:

Carburo di silicio (SiC)

Tipo di FET:

2 N-Manica (mezzo ponte)

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

35000pF @ 10V

Tipo di montaggio:

Montaggio del telaio

Temperatura di funzionamento:

-40°C ~ 150°C (TJ)

Confezione / Cassa:

Modulo

Potenza - Max:

1875W

Status del prodotto:

Attivo

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 68mA

Descrizione del prodotto

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