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SIZ918DT-T1-GE3

fabbricante:

Vishay

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 16A

Confezione del dispositivo del fornitore:

8-PowerPair® (6x5)

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Rapido RFQ

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

SIZ918DT-T1-GE3

Stoccaggio:

11950

Categoria di prodotto:

Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

16A, 28A

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

30 V

Caratteristica del FET:

Portone del livello logico

Tipo di FET:

2 N-Manica (mezzo ponte)

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

790pF @ 15V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Temperatura di funzionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Confezione / Cassa:

8-PowerWDFN

Potenza - Max:

29W, 100W

Status del prodotto:

Attivo

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

12 mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.2V @ 250µA

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