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EPC2107

fabbricante:

CPE

Descrizione:

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Confezione del dispositivo del fornitore:

9-BGA (1,35x1,35)

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Rapido RFQ

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

EPC2107

Stoccaggio:

5794

Categoria di prodotto:

Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

1.7A, 500mA

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

100 V

Caratteristica del FET:

GaNFET (nitrito di gallio)

Tipo di FET:

3 canale N (Mezzo ponte + bootstrap sincrono)

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Temperatura di funzionamento:

-40°C ~ 150°C (TJ)

Confezione / Cassa:

9-VFBGA

Status del prodotto:

Attivo

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.5V @ 100μA, 2,5V @ 20μA

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