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NTHC5513T1G

品質 NTHC5513T1G 工場

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NTHC5513T1G

メーカー:

一半

記述:

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

供給者のデバイスパッケージ:

ChipFET™

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製品詳細

メンター・パート#:

NTHC5513T1G

ストック:

8730

製品カテゴリー:

トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

2.9A,2.2A

流出電圧から源電圧 (Vdss):

20V

FETの特徴:

論理のレベルのゲート

FETタイプ:

NおよびP-Channel

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

4nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

180pF @ 10V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-55°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

8-SMDの平らな鉛

パワー - マックス:

1.1W

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

80mOhm @ 2.9A,4.5V

Vgs(th) (最大) @ Id:

1.2V @ 250µA

製品説明

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