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ZXMN2B01FTA
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ZXMN2B01FTA

メーカー:
ディオード組み込み
記述:
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3
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製品詳細
メンター・パート#:
ZXMN2B01FTA
ストック:
96486
製品カテゴリー:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
2.1A （Ta）
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.8V、4.5V
FETタイプ:
Nチャンネル
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
4.8 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
370 pF @ 10 V
マウントタイプ:
表面マウント
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
電力損失（最高）:
625mW （Ta）
製品の状況:
アクティブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 2.4A,4.5V
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs (最大):
±8V
Vgs(th) (最大) @ Id:
1V @ 250µA
製品説明
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IMZC120R026M2H-データシート についてクールシCTM MOSFET 離散1200 V,26 mΩ G2 に TO-247 4ピンの高クリップパケットは,よりコスト最適化のための高度なソリューションを提供する重要な改善を伴うGeneration 1 テクノロジーの強みを構築しています,効率的でコンパクトで設計が簡単で信頼性の高いシステムです.AC-DC,DC-DCの一般的な組み合わせすべてにおいて,ハードスイッチ操作とソフトスイッチトポロジーの両方でより優れたパフォーマンスを向上させました.DC-AC 段階. 典型的な用途 電気自動車の充電- オンラインの不中断電源 (UPS) - 太陽光発電の最適化器ストリングインバーター 貯蔵システム- ウェルディング機器
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