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CIGT252010EH2R2MNE

品質 CIGT252010EH2R2MNE 工場

CIGT252010EH2R2MNE

メーカー:

サムスン電機

記述:

固定 IND 2.2UH 2.4A 80MOHM SMD

供給者のデバイスパッケージ:

1008 (2520 メトリック)

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ストック:

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製品詳細

メンター・パート#:

CIGT252010EH2R2MNE

ストック:

391798

製品カテゴリー:

固定誘導器

電流 - 飽和度 (Isat):

2.7A

定位電流 (アンプ):

2.4 A

DC抵抗 (DCR):

80mOhm 最大

誘導力:

2.2 μH

誘導周波数 - 試験:

1 MHz

材料 - 核:

合成金属

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-40°C ~ 125°C

パッケージ/ケース:

1008 (2520 メトリック)

製品の状況:

アクティブ

シールド:

遮蔽されていない

許容性:

±20%

タイプ:

薄膜

製品説明

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