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MRF1K50NR5

품질 MRF1K50NR5 공장

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MRF1K50NR5

제조 업체:

NXP 반도체

설명:

광대역 RF 전력 LDMOS TRANSIST

공급자의 장치 패키지:

OM-1230-4L

빠른 RFQ

재고 중:

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제품 세부 정보

MFR.부품 번호:

MRF1K50NR5

주식:

125

상품 카테고리:

트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 무선주파수

빈도:

1.8MHz ~ 500MHz

이득:

23dB

패키지 / 케이스:

OM-1230-4L

전원 - 생산:

1500W

제품 상태:

액티브

트랜지스터형:

라이드모스

전압 - 평가됩니다:

50 Ｖ

전압 - 테스트:

50 Ｖ

제품 설명

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IMZC120R040M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 40 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 더 비용 최적화 된 고급 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1 세대의 기술의 강점을 기반으로합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R034M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 34 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 더 비용 최적화 된 고급 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1 세대의 기술의 강점을 기반으로합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R026M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 26 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 보다 비용 최적화를 위한 첨단 솔루션을 제공하는 상당한 개선으로 1세대 기술의 강점을 기반으로 합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R017M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 17 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 보다 비용 최적화를 위한 첨단 솔루션을 제공하는 상당한 개선으로 1세대 기술의 강점을 기반으로 합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS) - 태양 에너지 최적화 장치스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R012M2H-데이터 시트 전형적 사용법 - 일반용 드라이브 (GPD) - 전기차 충전 - 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS) - 태양광 에너지 최적화기 - 스트링 인버터 - 에너지 저장 시스템 (ESS) - 용접 장비 IMZC120R012M2H는 인피니언 테크놀로지스의 1200 V, 12 mΩ N 채널 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET으로, 고효율 및 고전력 밀도 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

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IMZC120R012M2HXKSA1-데이터 시트 전형적 사용법 - 매우 낮은 전환 손실. - T까지 과부하 동작vj= 200°C - 2μs의 단축 견딜 수 있는 시간 - 단단한 변압을 위한 강력한 보디 다이오드 - XT 상호 연결 기술 향상 된 열 성능. IMZC120R012M2H는 인피니언 테크놀로지스의 1200 V, 12 mΩ N 채널 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET으로, 고효율 및 고전력 밀도 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

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