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NCV57252DWR2G

품질 NCV57252DWR2G 공장

품질 NCV57252DWR2G 공장

NCV57252DWR2G

제조 업체:

반

설명:

절연형 듀얼 채널 IGBT/MOSFE

공급자의 장치 패키지:

16-SOIC

빠른 RFQ

재고 중:

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제품 세부 정보

MFR.부품 번호:

NCV57252DWR2G

주식:

35000

상품 카테고리:

절연체 - 게이트 드라이버

승인 에이전시:

VDE

(민) 공통 모드 트랜지엔트 면역:

100kV/us

경향 - 낮은 출력 하이:

6.5A, 6.5A

경향 - 피크 출력:

6.5A

장착형:

표면 마운트

채널 수:

2

작동 온도:

-40' Ｃ ~ 125' Ｃ

제품 상태:

액티브

전달 지연 트플에 / 티피하들 (맥스):

80 나노 초, 80 나노 초

펄스 폭 왜곡 (맥스):

10 나노 초

상승 / 강하 시간 (Typ):

12 나노 초, 10 나노 초

기술:

정전 결합

전압 - 차단:

5000Vrms

전압 - 출력 공급:

32V

제품 설명

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