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SH8KC6TB1

qualidade SH8KC6TB1 fábrica

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SH8KC6TB1

fabricante:

ROHM Semicondutor

Descrição:

60V DUAL NCH+NCH, SOP8, POWER MO

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-POP

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SH8KC6TB1

Atividades:

9765

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

6.5A (Ta)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

60 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

N-canal 2 (duplo)

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

7.6nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

460pF @ 30V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

150°C (TJ)

Potência - Máximo:

2W (Ta)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

32 mOhm @ 6,5 A, 10 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2,5V @ 1mA

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