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BSM120D12P2C005

qualidade BSM120D12P2C005 fábrica

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BSM120D12P2C005

fabricante:

ROHM Semicondutor

Descrição:

MOSFET 2N-CH 1200V 120A Módulo

Pacote de dispositivos do fornecedor:

Modulo

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

BSM120D12P2C005

Atividades:

30

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

120A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

1200 V (1,2 kV)

Característica do FET:

Carbono de silício (SiC)

Tipo de FET:

N-canal 2 (meia ponte)

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

14000pF @ 10V

Temperatura de funcionamento:

-40°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

Modulo

Potência - Máximo:

780W

Estatuto do produto:

Atividade

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.7V @ 22mA

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