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2N7002KDW_R1_00001

qualidade 2N7002KDW_R1_00001 fábrica

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2N7002KDW_R1_00001

fabricante:

PANJIT

Descrição:

Modo de melhoria de N-CANAL de 60 V M

Pacote de dispositivos do fornecedor:

SOT-363

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

2N7002KDW_R1_00001

Atividades:

16109

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

115mA (Ta)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

60 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

N-canal 2 (duplo)

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

0.8nC @ 4.5V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

35pF @ 25V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Potência - Máximo:

200mW (Ta)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.5V @ 250µA

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