fabricantes

RFQ

Em parceria connosco

portuguese

Para casa > produtos > Produtos de semicondutor discretos >

SI1016X-T1-GE3

qualidade SI1016X-T1-GE3 fábrica

qualidade SI1016X-T1-GE3 fábrica

SI1016X-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

Pacote de dispositivos do fornecedor:

SC-89 (SOT-563F)

RFQ rápido

Em estoque:

Por favor, envie uma pergunta, responderemos imediatamente. (*é obrigatório)

Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SI1016X-T1-GE3

Atividades:

73215

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

485 mA, 370 mA

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

20 V

Característica do FET:

Porta do nível da lógica

Tipo de FET:

N e P-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

0.75nC @ 4.5V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

SOT-563, SOT-666

Potência - Máximo:

250mW

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1V @ 250µA

Descrição do produto

SI1016X-T1-GE3 PRODUTOS RELACIONADOS

qualidade IMZC120R078M2H fábrica

IMZC120R078M2H

IMZC120R078M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 78 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R053M2H fábrica

IMZC120R053M2H

IMZC120R053M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 53 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R040M2H fábrica

IMZC120R040M2H

IMZC120R040M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 40 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia de geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo-otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R034M2H fábrica

IMZC120R034M2H

IMZC120R034M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 34 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R026M2H fábrica

IMZC120R026M2H

IMZC120R026M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 26 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para um custo mais otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R022M2H fábrica

IMZC120R022M2H

IMZC120R022M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 22 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R017M2H fábrica

IMZC120R017M2H

IMZC120R017M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 17 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia de geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo-otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Fornecedores de energia ininterrupta (UPS) - Optimizadores de energia solar- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

qualidade IMZC120R012M2H fábrica

IMZC120R012M2H

IMZC120R012M2H-Ficha de dados Aplicações típicas - Dispositivos de uso geral (GPD). - Carregamento de veículos elétricos. - Fornecimentos de energia ininterruptíveis (UPS) online. - Otimizadores de energia solar. - Inversores de cordas. - Sistemas de armazenamento de energia (ESS). - Equipamento de solda. O IMZC120R012M2H é um MOSFET de carburo de silício (SiC) de canal N de 1200 V, 12 mΩ da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta eficiência e alta densidade de potência.

qualidade IMZC120R012M2HXKSA1 fábrica

IMZC120R012M2HXKSA1

IMZC120R012M2HXKSA1-Ficha de dados Aplicações típicas - Perdas muito baixas. - Operação de sobrecarga até Tvj= 200°C. - Curto-circuito resistência de 2 μs. - Diodo robusto para comutação. - Tecnologia de interconexão XT para melhor desempenho térmico. O IMZC120R012M2H é um MOSFET de carburo de silício (SiC) de canal N de 1200 V, 12 mΩ da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta eficiência e alta densidade de potência.

qualidade AIMCQ120R160M1T fábrica

AIMCQ120R160M1T

AIMCQ120R160M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R120M1T fábrica

AIMCQ120R120M1T

AIMCQ120R120M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R080M1T fábrica

AIMCQ120R080M1T

AIMCQ120R080M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R060M1T fábrica

AIMCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R040M1T fábrica

AIMCQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R030M1T fábrica

AIMCQ120R030M1T

AIMCQ120R030M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R020M1T fábrica

AIMCQ120R020M1T

AIMCQ120R020M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade AIMCQ120R020M1TXTMA1 fábrica

AIMCQ120R020M1TXTMA1

AIMCQ120R020M1TXTMA1-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

qualidade CMPDM7002AG TR PBFREE fábrica

CMPDM7002AG TR PBFREE

CMPDM7002AG TR PBFREEFicha de dados

qualidade DMP2123LQ-7 fábrica

DMP2123LQ-7

qualidade DMP2035UVT-7 fábrica

DMP2035UVT-7

qualidade DMN61D8L-7 fábrica

DMN61D8L-7