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SIZ342ADT-T1-GE3

qualidade SIZ342ADT-T1-GE3 fábrica

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SIZ342ADT-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 x 3

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-Power33 (3x3)

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SIZ342ADT-T1-GE3

Atividades:

3612

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

15.7A (Ta), 33.4A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

30 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

N-canal 2 (duplo)

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

12.2nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

580 pF @ 15V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

8-PowerWDFN

Potência - Máximo:

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

9.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2,4V @ 250µA

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