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SIZ322DT-T1-GE3

qualidade SIZ322DT-T1-GE3 fábrica

qualidade SIZ322DT-T1-GE3 fábrica

SIZ322DT-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-Power33 (3x3)

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SIZ322DT-T1-GE3

Atividades:

12000

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

30A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

25 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

N-canal 2 (duplo)

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

20.1nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

950 pF @ 12,5 V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

8-PowerWDFN

Potência - Máximo:

16.7W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

6.35mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2,4V @ 250µA

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