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ZXMN3F31DN8TA

qualidade ZXMN3F31DN8TA fábrica

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ZXMN3F31DN8TA

fabricante:

Diodos incorporados

Descrição:

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-SO

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

ZXMN3F31DN8TA

Atividades:

4998

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

5.7A

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

30 V

Característica do FET:

Porta do nível da lógica

Tipo de FET:

N-canal 2 (duplo)

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

12.9nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

608pF @ 15V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Potência - Máximo:

1.8W

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

24 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

3V @ 250µA

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