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SISF00DN-T1-GE3

qualidade SISF00DN-T1-GE3 fábrica

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SISF00DN-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Pacote de dispositivos do fornecedor:

PowerPAK® 1212-8SCD

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SISF00DN-T1-GE3

Atividades:

3721

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

60A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

30 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

Dreno comum (duplo) de 2 N-canais

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

53nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

2700 pF @ 15V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

PowerPAK® 1212-8SCD

Potência - Máximo:

69.4W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.1V @ 250µA

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