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SIZF906BDT-T1-GE3

qualidade SIZF906BDT-T1-GE3 fábrica

qualidade SIZF906BDT-T1-GE3 fábrica

SIZF906BDT-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET duplo N-CANAL 30 V (D-S)

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-PowerPair® (6x5)

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SIZF906BDT-T1-GE3

Atividades:

75000

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

30 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

2 canais N (dual), Schottky

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

49nC @ 10V, 165nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

8-PowerWDFN

Potência - Máximo:

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

2.1mOhm @ 15A, 10V, 680μOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.2V @ 250µA

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