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MRF24G300HSR5

qualidade MRF24G300HSR5 fábrica

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MRF24G300HSR5

fabricante:

NXP Semicondutores

Descrição:

RF FET GAN 330W 50V 2500MHZ

Pacote de dispositivos do fornecedor:

NI-780S-4L

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

MRF24G300HSR5

Atividades:

196

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Frequência:

2.4 GHz ~ 2.5 GHz

Ganho:

150,3 dB

Embalagem / Caixa:

NI-780S-4L

Potência - saída:

300 W

Estatuto do produto:

Atividade

Tipo de transistor:

N-canal 2 (duplo)

Voltagem nominal:

125 V

Tensão - teste:

48 V

Descrição do produto

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IMZC120R034M2H-Ficha de dados OCoolSiCTM MOSFET discreto1200 V, 34 mΩ G2 em um pacote TO-247 4pin com alto deslizamento baseia-se nos pontos fortes da tecnologia da Geração 1 com uma melhoria significativa que fornece uma solução avançada para mais custo otimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de conceber e fiável, melhorando o desempenho tanto no funcionamento de comutação dura como nas topologias de comutação suave para todas as combinações comuns de CA-CC, CC-CC,e estágios DC-AC. Aplicações típicas - Carregamento de veículos elétricos.- Optimizadores de energia solar.- Sistemas de armazenamento de energia.- Equipamento de solda.

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AIMCQ120R040M1T-Ficha de dados Aplicações típicas Carregadores a bordo (OBC): Conversão eficiente de energia em veículos elétricos. Conversores CC-DC: Gestão de energia de alta eficiência em sistemas automotivos. Inversores de tração: sistemas de propulsão de veículos elétricos.

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