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EPC2012C

qualidade EPC2012C fábrica

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EPC2012C

fabricante:

CPE

Descrição:

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Pacote de dispositivos do fornecedor:

Esboço em matriz (4 barras de soldadura)

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

EPC2012C

Atividades:

38057

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

5A (Ta)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

200 V

Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):

5V

Tipo de FET:

N-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

1.3 nC @ 5 V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

140 pF @ 100 V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-40°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

Morrer.

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

100 mOhm @ 3A, 5V

Tecnologia:

GaNFET (nitreto de gálio)

Vgs (máximo):

+6V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2,5V @ 1mA

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