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RV2C010UNT2L

qualidade RV2C010UNT2L fábrica

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RV2C010UNT2L

fabricante:

ROHM Semicondutor

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

Pacote de dispositivos do fornecedor:

VML1006

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

RV2C010UNT2L

Atividades:

96987

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

1A (Ta)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

20 V

Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):

1.2V, 4.5V

Tipo de FET:

N-canal

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

40 pF @ 10 V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

SC-101, SOT-883

Dissipação de poder (máxima):

400mW (Ta)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

470 mOhm @ 500 mA, 4,5 V

Tecnologia:

MOSFET (óxido de metal)

Vgs (máximo):

±8V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1V @ 1mA

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