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PMDXB600UNEZ
calidad PMDXB600UNEZ fábrica
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PMDXB600UNEZ

fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
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RFC rápida
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
PMDXB600UNEZ
Las existencias:
58486
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
600 mA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Característica del FET:
Puerta del nivel de la lógica
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0.7nC @ 4.5V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
21.3pF @ 10V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
6-XFDFN expuso el cojín
Potencia - máximo:
265 mW
Estado del producto:
Actividad
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
620 mOhm @ 600 mA, 4,5 V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
950mV @ 250µA
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