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fabricante:
en semi
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-ECH
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
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Las existencias:
14200
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
4.7A, 3.5A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Característica del FET:
Puerta de nivel lógico, 4V
Tipo de FET:
N y P-canal
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
955pF @ 20V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
8-SMD, ventaja plana
Potencia - máximo:
1.5W
Estado del producto:
Actividad
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
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¿Qué es lo que está pasando?Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 78 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministros de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 40 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 26 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 22 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Dispositivos de propósito general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos. - Fuentes de alimentación ininterrumpidas en línea (UPS). - Optimizadores de energía solar. - Los inversores de cuerda. - Sistemas de almacenamiento de energía (ESS). - Equipo de soldadura. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
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El objetivo de las pruebas de detección es el seguimiento de los resultados de las pruebas de detección.Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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