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Se trata de una prueba de la complejidad de los datos.
calidad Se trata de una prueba de la complejidad de los datos. fábrica
calidad Se trata de una prueba de la complejidad de los datos. fábrica

Se trata de una prueba de la complejidad de los datos.

fabricante:
Dispositivos Lineares Avanzados, Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-PDIP
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
Se trata de una prueba de la complejidad de los datos.
Las existencias:
133
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
10.6V
Característica del FET:
Estándar
Tipo de FET:
Pareja de 2 canales N (doble) emparejados
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3pF @ 5V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 70°C (TJ)
Potencia - máximo:
500 mW
Estado del producto:
Actividad
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
500 ohms @ 5V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1V @ 1μA
Descripción del producto
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