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Se aplicará el código MRF101BN.
calidad Se aplicará el código MRF101BN. fábrica
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fabricante:
NXP Semiconductors
Descripción:
MOSFET de RF LDMOS 50V TO220-3
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220-3
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
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Las existencias:
156
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Actual - prueba:
100 MA
Clasificación de corriente (amperios):
10µA
Frecuencia:
1.8 MHz ~ 250 MHz
Ganancias:
21.1 dB
Envase / estuche:
TO-220-3
Potencia - Producción:
115W
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
ldmos
Voltado nominal:
133 V
Voltaje - prueba:
50 V
Descripción del producto
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calidad Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 53 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 40 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad El número de unidades de seguridad es el siguiente: fábrica

El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 34 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 26 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 22 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 17 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministros de energía ininterrumpidos en línea (UPS).- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Dispositivos de propósito general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos. - Fuentes de alimentación ininterrumpidas en línea (UPS). - Optimizadores de energía solar. - Los inversores de cuerda. - Sistemas de almacenamiento de energía (ESS). - Equipo de soldadura. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Muy bajas pérdidas de conmutación. - Operación de sobrecarga hasta TVj= 200 °C. - Tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs. - Diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura. - Tecnología de interconexión XT para un mejor rendimiento térmico. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
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calidad El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II. fábrica

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El objetivo de las pruebas de detección es el seguimiento de los resultados de las pruebas de detección.Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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