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CGH25120F: el número de unidades de producción
calidad CGH25120F: el número de unidades de producción fábrica
calidad CGH25120F: el número de unidades de producción fábrica

CGH25120F: el número de unidades de producción

fabricante:
Wolfspeed
Descripción:
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7 GHz FET
Paquete de dispositivos del proveedor:
440162
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
CGH25120F: el número de unidades de producción
Las existencias:
36
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Actual - prueba:
500 mA
Frecuencia:
2.3 GHz ~ 2.7 GHz
Ganancias:
12.5 dB
Envase / estuche:
440162
Potencia - Producción:
de energía de 130 W
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de transistor:
HEMT
Voltado nominal:
84 V
Voltaje - prueba:
El número de unidades
Descripción del producto
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calidad Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

¿Qué es lo que está pasando?Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 78 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministros de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. fábrica

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 53 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 40 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad El número de unidades de seguridad es el siguiente: fábrica

El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 34 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 26 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 22 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto deslizamiento se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para una mayor optimización de costos,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministradores de energía ininterrumpidos en línea.- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad El número de unidades de seguridad es el siguiente: fábrica

El número de unidades de seguridad es el siguiente:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos ElMOSFET CoolSiCTM discreto1200 V, 17 mΩ G2 en un paquete TO-247 de 4 pines con alto creepage se basa en los puntos fuertes de la tecnología de generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un costo más optimizado,sistema eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable, que mejora el rendimiento tanto en el funcionamiento de conmutación dura como en las topologías de conmutación suave para todas las combinaciones comunes de CA-CC, CC-CC,las etapas CC-AC. Aplicaciones típicas - Dispositivos de propulsión de uso general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos (EV).- Suministros de energía ininterrumpidos en línea (UPS).- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS).- Equipo de soldadura.
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calidad El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos. fábrica

El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Dispositivos de propósito general (GPD). - Carga de vehículos eléctricos. - Fuentes de alimentación ininterrumpidas en línea (UPS). - Optimizadores de energía solar. - Los inversores de cuerda. - Sistemas de almacenamiento de energía (ESS). - Equipo de soldadura. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.Hoja de datos Aplicaciones típicas - Muy bajas pérdidas de conmutación. - Operación de sobrecarga hasta TVj= 200 °C. - Tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs. - Diodo de cuerpo robusto para la conmutación dura. - Tecnología de interconexión XT para un mejor rendimiento térmico. El IMZC120R012M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de 1200 V y 12 mΩ de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
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AIMCQ120R160M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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calidad AIMCQ120R120M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad fábrica

AIMCQ120R120M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad

AIMCQ120R120M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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AIMCQ120R080M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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AIMCQ120R060M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad

AIMCQ120R060M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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calidad El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II. fábrica

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AIMCQ120R040M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

AIMCQ120R030M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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calidad El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II. fábrica

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

AIMCQ120R020M1T-Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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calidad El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo I. fábrica

El objetivo de la inspección es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo I.

El objetivo de las pruebas de detección es el seguimiento de los resultados de las pruebas de detección.Hoja de datos Aplicaciones típicas Cargadores a bordo (OBC): conversión eficiente de energía en vehículos eléctricos. Convertidores CC-DC: Gestión de energía de alta eficiencia en sistemas automotrices. Inversores de tracción: Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
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