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calidad Se aplicarán las siguientes medidas: fábrica
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Se aplicarán las siguientes medidas:

fabricante:
CPE
Descripción:
Trans GAN 100V DIE 5,6 MOHM
Paquete de dispositivos del proveedor:
Muere.
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Por favor, envíe una RFQ, responderemos inmediatamente. (*es obligatorio)
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Las existencias:
17459
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
29A (Ta)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
5 V
Tipo de FET:
N-canal
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
7.4 nC @ 5 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
851 pF @ 50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Muere.
Estado del producto:
Actividad
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
6mOhm @ 16A, 5V
Tecnología:
GaNFET (nitruro de galio)
Vgs (máximo):
+6V, -4V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 4mA
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