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PDTA114YQB-QZ

Qualität PDTA114YQB-QZ usine

Qualität PDTA114YQB-QZ usine

PDTA114YQB-QZ

fabricant:

Nexperia

Beschreibung:

Die Ergebnisse der Untersuchung werden in der folgenden Tabelle dargestellt.

Lieferanten-Gerätepaket:

DFN1110D-3

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

PDTA114YQB-QZ

Lagerbestand:

5000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

100nA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

100 @ 5mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

180 MHZ

Typ der Montage:

Oberflächenberg, benetzbare Flanke

Packung / Gehäuse:

3-XDFN-Aufdeckungsplattform

Leistung - Max.:

340 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2):

47 kOhms

Transistortyp:

PNP - Vorabverzerrt

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

100mV @ 250μA, 5mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

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