продукты

производителей

О нас

News

RFQ

Партнер с нами

russian

Домой > продукты > Дискретные продукты полупроводника >

PDTA114YQB-QZ

производитель:

Nexperia

Описание:

PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

Пакет изделий поставщика:

DFN1110D-3

скачать

Быстрый RFQ

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно. (*является обязательным)

Подробная информация о продукции

Мр. Часть #:

PDTA114YQB-QZ

Запасы:

5000

Категория продукции:

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

Ток - коллектор (Ic) (макс.):

100 МА

Ток - предел коллектора (макс.):

100nA

Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:

100 @ 5mA, 5В

Частота - переходный период:

180 MHz

Тип установки:

Поверхностный держатель, Wettable фланк

Пакет / чемодан:

3-XDFN открытая подставка

Мощность - Макс:

340 мВт

Статус продукта:

Активный

Резистор - основа (R1):

10 kOhms

Резистор - база излучателя (R2):

47 kOhms

Тип транзистора:

ПНП - предвзятое

Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:

100mV @ 250μA, 5mA

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):

50 В

Описание продукта

PDTA114YQB-QZ Родственные продукты

ПДТК124ТТ,215

Узнайте больше

РН1303,ЛФ

Узнайте больше

РН1106МФВ,Л3Ф

Узнайте больше

UNRF2A300A

Узнайте больше

UNRF2AN00A

Узнайте больше

UNRF1A300A

Узнайте больше

DTC343TKT146

Узнайте больше

ММУН2111LT3G

Узнайте больше

УНР212200Л

Узнайте больше

УНР411400А

Узнайте больше

УНР411Е00А

Узнайте больше

УНР222300Л

Узнайте больше

УНР221Д00Л

Узнайте больше

УНР52А4Г0Л

Узнайте больше

УНР511500Л

Узнайте больше

УНР9111Г0Л

Узнайте больше

УНР32А1Г0Л

Узнайте больше

UNR211300L

Узнайте больше

УНР515400Л

Узнайте больше

УНР211000Л

Узнайте больше

UNR92ANG0L

Узнайте больше