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QS6K1FRATR

fabricant:

ROHM Halbleiter

Beschreibung:

2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE)

Lieferanten-Gerätepaket:

TSMT6 (SC-95)

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

QS6K1FRATR

Lagerbestand:

5449

Produktkategorie:

Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:

1A (Ta)

Abflussspannung zur Quelle (Vdss):

30 V

Fet-Eigenschaft:

Logic Level Gate, 2,5 V Antrieb

FET-Typ:

N-Kanal 2 (Doppel)

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:

2.4nC @ 4.5V

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:

10 V

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Betriebstemperatur:

150°C

Packung / Gehäuse:

SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6

Leistung - Max.:

900 mW (Tc)

Produktstatus:

Aktiv

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

238 mOhm @ 1A, 4,5 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1.5V @ 1mA

Beschreibung des Produkts

QS6K1FRATR VERWANDTE PRODUKTE

Im Zuge der Anwendung der Richtlinie 2009/72/EG

ImZC120R078M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 78 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung (UPS).- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r053m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 53 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R040M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 40 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Immer noch nicht vollständig erstellt

Imzc120R034M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 34 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R026M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 26 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Im Rahmen der Richtlinie 2008/57/EG wird die Richtlinie 2008/57/EG geändert.

Imzc120r022m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 22 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Immer noch nicht.

Imzc120R017M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 17 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online-Ununterbrechungsnetzteile (UPS). - Optimierer für Solarenergie- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.

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Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r012m2hDatenblatt Typische Anwendungen - Allzweckantriebe (GPD). - Ladevorrichtung für Elektrofahrzeuge. - On-line ununterbrochene Stromversorgung (UPS). - Solarenergie-Optimierer. - String-Wechselrichter. - Energiespeichersysteme (ESS). - Schweißgeräte. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

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Im Rahmen des Programms werden die in Anhang I aufgeführten Daten für die Einhaltung der Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG verwendet.

Im Rahmen des Programms für die Erfassung von Informationen über die Sicherheit von Flugzeugen und FlugzeugenDatenblatt Typische Anwendungen - Sehr geringe Schaltverluste. - Überlastbetrieb bis TVj= 200 °C. - Kurzschlusszeit von 2 μs. - Robuste Diode für eine harte Umstellung. - XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

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Einheitliche Flugsicherungsanlage

AIMCQ120R160M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

AIMCQ120R120M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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AIMCQ120R080M1T

AIMCQ120R080M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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AIMCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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AIMCQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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Einheitliche Anweisungen

AIMCQ120R030M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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AIMCQ120R020M1T

AIMCQ120R020M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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Einheitliche Anweisungen

Einheit für die Überwachung der LuftverkehrssicherheitDatenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.

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