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QS6K1FRATR

qualità QS6K1FRATR fabbrica

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QS6K1FRATR

fabbricante:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE)

Confezione del dispositivo del fornitore:

TSMT6 (SC-95)

Rapido RFQ

In magazzino:

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

QS6K1FRATR

Stoccaggio:

5449

Categoria di prodotto:

Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

1A (tum)

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

30 V

Caratteristica del FET:

Porta di livello logico, azionamento 2.5V

Tipo di FET:

2 N-Manica (doppi)

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

2.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

10V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Temperatura di funzionamento:

150°C

Confezione / Cassa:

SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6

Potenza - Max:

900 mW (Tc)

Status del prodotto:

Attivo

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

238 mOhm @ 1A, 4,5 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1.5V @ 1mA

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AIMCQ120R040M1T-Fogli di dati Applicazioni tipiche Caricabatterie a bordo (OBC): conversione efficiente della potenza nei veicoli elettrici. Convertitori CC-CC: gestione dell'energia ad alta efficienza nei sistemi automobilistici. Invertitori di trazione: sistemi di propulsione per veicoli elettrici.

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