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TSM6502CR RLG
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TSM6502CR RLG

メーカー:
台湾半導体
記述:
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
供給者のデバイスパッケージ:
8-PDFN (5x6)
Created with Pixso.
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製品詳細
メンター・パート#:
TSM6502CR RLG
ストック:
15481
製品カテゴリー:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
24A (Tc),18A (Tc)
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
FETの特徴:
スタンダード
FETタイプ:
NおよびP-Channel
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
マウントタイプ:
表面マウント
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
8-PowerTDFN
パワー - マックス:
40W
製品の状況:
アクティブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
製品説明
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