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TSM6502CR RLG

qualidade TSM6502CR RLG fábrica

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TSM6502CR RLG

fabricante:

Taiwan Semicondutor

Descrição:

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-PDFN (5x6)

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

TSM6502CR RLG

Atividades:

15481

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

24A (Tc), 18A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

60 V

Característica do FET:

Padrão

Tipo de FET:

N e P-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

10.3nC @ 4,5V, 9,5nC @ 4,5V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

8-PowerTDFN

Potência - Máximo:

40 W

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.5V @ 250µA

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