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FDG6301N

品質 FDG6301N 工場

FDG6301N

メーカー:

一半

記述:

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

供給者のデバイスパッケージ:

SC-88 (SC-70-6)

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ストック:

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製品詳細

メンター・パート#:

FDG6301N

ストック:

213199

製品カテゴリー:

トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:

220mA

流出電圧から源電圧 (Vdss):

25V

FETの特徴:

論理のレベルのゲート

FETタイプ:

2 N-Channel （二重）

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:

0.4nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:

9.5pF @ 10V

マウントタイプ:

表面マウント

動作温度:

-55°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース:

6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について

パワー - マックス:

300mW

製品の状況:

アクティブ

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:

4Ohm @ 220mA,4.5V

Vgs(th) (最大) @ Id:

1.5V @ 250µA

製品説明

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