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FDG6301N
calidad FDG6301N fábrica
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FDG6301N

fabricante:
en semi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 y el resto de los componentes
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de la prueba será el siguiente:
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Por favor, envíe una RFQ, responderemos inmediatamente. (*es obligatorio)
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
FDG6301N
Las existencias:
213199
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
220mA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Característica del FET:
Puerta del nivel de la lógica
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0.4nC @ 4.5V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
9.5pF @ 10V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Potencia - máximo:
300 mW
Estado del producto:
Actividad
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
4 Ohms @ 220mA, 4,5 V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.5V @ 250µA
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