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SI5504BDC-T1-GE3

품질 SI5504BDC-T1-GE3 공장

품질 SI5504BDC-T1-GE3 공장

SI5504BDC-T1-GE3

제조 업체:

비샤이

설명:

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

공급자의 장치 패키지:

1206-8 칩펫텀

빠른 RFQ

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제품 세부 정보

MFR.부품 번호:

SI5504BDC-T1-GE3

주식:

42000

상품 카테고리:

트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:

4A, 3.7A

소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:

30V

FET 특징:

논리 레벨 게이츠

FET은 타이핑합니다:

엔과 P-채널

게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:

7nC @ 10V

Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):

220pF @ 15V

장착형:

표면 마운트

작동 온도:

-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)

패키지 / 케이스:

8-SMD, 플랫 리드

전원 - 맥스:

3.12W, 3.1W

제품 상태:

액티브

Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:

65m옴 @ 3.1A, 10V

Id에 있는 Vgs(th) (맥스):

250uA에 있는 3V

제품 설명

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IMZC120R040M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 40 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 더 비용 최적화 된 고급 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1 세대의 기술의 강점을 기반으로합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R034M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 34 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 더 비용 최적화 된 고급 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1 세대의 기술의 강점을 기반으로합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R022M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 22 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 더 비용 최적화 된 고급 솔루션을 제공하는 중요한 개선으로 1 세대 기술의 강점을 기반으로합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R017M2H-데이터 시트 의CoolSiCTM MOSFET 디스크리트1200 V, 17 mΩ G2 높은 크리피지 패키지와 함께 TO-247 4pin 패키지는 보다 비용 최적화를 위한 첨단 솔루션을 제공하는 상당한 개선으로 1세대 기술의 강점을 기반으로 합니다.,효율적이고 컴팩트하고 설계가 쉽고 신뢰할 수 있는 시스템입니다. 그것은 AC-DC, DC-DC의 모든 일반적인 조합에 대한 하드 스위치 동작과 소프트 스위치 토폴로지에서 더 나은 성능을 향상 시켰습니다.DC-AC 단계. 전형적 사용법 일반용 드라이브 (GPD) 전기차 충전- 온라인 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS) - 태양 에너지 최적화 장치스트링 인버터 에너지 저장 시스템 (ESS)- 용접 장비

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IMZC120R012M2HXKSA1-데이터 시트 전형적 사용법 - 매우 낮은 전환 손실. - T까지 과부하 동작vj= 200°C - 2μs의 단축 견딜 수 있는 시간 - 단단한 변압을 위한 강력한 보디 다이오드 - XT 상호 연결 기술 향상 된 열 성능. IMZC120R012M2H는 인피니언 테크놀로지스의 1200 V, 12 mΩ N 채널 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET으로, 고효율 및 고전력 밀도 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

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