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SI5504BDC-T1-GE3

qualidade SI5504BDC-T1-GE3 fábrica

qualidade SI5504BDC-T1-GE3 fábrica

SI5504BDC-T1-GE3

fabricante:

Vishay

Descrição:

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Pacote de dispositivos do fornecedor:

ChipFET™ 1206-8

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SI5504BDC-T1-GE3

Atividades:

42000

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

4A, 3.7A

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

30 V

Característica do FET:

Porta do nível da lógica

Tipo de FET:

N e P-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

7nC @ 10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

220pF @ 15V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

8-SMD, ligação lisa

Potência - Máximo:

3.12W, 3.1W

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

65 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id:

3V @ 250µA

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