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NTMD6N02R2G

qualidade NTMD6N02R2G fábrica

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NTMD6N02R2G

fabricante:

semi-

Descrição:

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC

Pacote de dispositivos do fornecedor:

8-SOIC

RFQ rápido

Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

NTMD6N02R2G

Atividades:

2972

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

3.92A

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

20 V

Característica do FET:

Porta do nível da lógica

Tipo de FET:

N-canal 2 (duplo)

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

20nC @ 4,5V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

1100 pF @ 16V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Potência - Máximo:

730 mW

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

35 mOhm @ 6A, 4,5 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

1.2V @ 250µA

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