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NTMD6N02R2G
calidad NTMD6N02R2G fábrica
calidad NTMD6N02R2G fábrica

NTMD6N02R2G

fabricante:
en semi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
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Detalles del producto
El Sr. Parte #:
NTMD6N02R2G
Las existencias:
2972
Categoría de productos:
Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
3.92A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Característica del FET:
Puerta del nivel de la lógica
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
20nC @ 4,5V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Potencia - máximo:
730 mW
Estado del producto:
Actividad
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.2V @ 250µA
Descripción del producto
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