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SCT2750NYTB

qualidade SCT2750NYTB fábrica

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SCT2750NYTB

fabricante:

ROHM Semicondutor

Descrição:

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Pacote de dispositivos do fornecedor:

TO-268

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SCT2750NYTB

Atividades:

1548

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

5.9A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

1700 V

Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):

18V

Tipo de FET:

N-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

17 nC @ 18 V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

275 pF @ 800 V

Tipo de montagem:

Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:

175°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Dissipação de poder (máxima):

57W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

975 mOhm @ 1,7A, 18V

Tecnologia:

SiCFET (carboneto de silicone)

Vgs (máximo):

+22V, -6V

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 630μA

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