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SCT3030KLGC11

qualidade SCT3030KLGC11 fábrica

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SCT3030KLGC11

fabricante:

ROHM Semicondutor

Descrição:

SICFET N-CH 1200V 72A a 247N

Pacote de dispositivos do fornecedor:

TO-247N

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Em estoque:

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Detalhes do produto

Sr. Parte #:

SCT3030KLGC11

Atividades:

151

Categoria de produtos:

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

72A (Tc)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

1200 V

Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):

18V

Tipo de FET:

N-canal

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

131 nC @ 18 V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:

2222 pF @ 800 V

Tipo de montagem:

Através do Buraco

Temperatura de funcionamento:

175°C (TJ)

Embalagem / Caixa:

TO-247-3

Dissipação de poder (máxima):

339W (Tc)

Estatuto do produto:

Atividade

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

39mOhm @ 27A, 18V

Tecnologia:

SiCFET (carboneto de silicone)

Vgs (máximo):

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id:

50,6 V @ 13,3 mA

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