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ZXMN6A11DN8TA

fabricante:

Diodos incorporados

Descripción:

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Paquete de dispositivos del proveedor:

8 SO

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Detalles del producto

El Sr. Parte #:

ZXMN6A11DN8TA

Las existencias:

5863

Categoría de productos:

Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:

2.5A

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):

Las demás:

Característica del FET:

Puerta del nivel de la lógica

Tipo de FET:

Canal N 2 (dual)

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:

5.7nC @ 10V

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:

Se aplicarán las siguientes medidas:

Tipo de montaje:

Montura de la superficie

Temperatura de funcionamiento:

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Potencia - máximo:

1.8W

Estado del producto:

Actividad

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:

120 mOhm @ 2,5A, 10V

Vgs(th) (máximo) @ Id:

1V @ 250μA (min)

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